HVC386BTRF-E

HVC386BTRF-E Renesas Electronics Corporation VARIABLE CAPACITANCE DIODE

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение (V_BR) - 386 В
  • Ток утечки при V_BR - не более 100 нА
  • Частота работы - до 1 ГГц
  • Коэффициент переменной емкости - до 250 пФ/В
• Плюсы:
  • Высокая частота работы
  • Высокое значение переменной емкости
  • Низкий ток утечки
  • Устойчивость к электрическим шумам
• Минусы:
  • Высокое напряжение может ограничивать область применения
  • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
• Общее назначение:
  • Создание переменных емкостей в радиоуправляемых аппаратах и системах связи
  • Регулировка частоты в цифровых системах
  • Фильтрация высокочастотных помех
• В каких устройствах применяется:
  • Радиоприемники и передатчики
  • Цифровые системы управления
  • Инверторы и преобразователи
  • Системы связи и радиоуправления