IDT71256L25Y

Основные параметры микросхемы IDT71256L25Y:

• Тип памяти: SRAM (Static Random Access Memory)
• Объем памяти: 256 Кбит (32К x 8 бит)
• Организация памяти: 32K слов по 8 бит
• Интерфейс: Параллельный
• Корпус: 28-выводной SOJ (Small Outline J-lead)
• Время доступа: 25 нс (L25 в обозначении)
• Напряжение питания: 5В (стандартное для многих SRAM того времени)

Плюсы:

• Высокая скорость доступа (25 нс) по сравнению с DRAM.
• Не требует обновления (refresh) в отличие от DRAM, что упрощает схему управления.
• Простота использования благодаря параллельному интерфейсу.
• Надежность и стабильность хранения данных.

Минусы:

• Относительно высокая стоимость за бит по сравнению с DRAM.
• Большее энергопотребление в режиме работы по сравнению с некоторыми современными типами памяти.
• Меньшая плотность упаковки данных по сравнению с DRAM, что ограничивает максимальный объем памяти на одной микросхеме.
• Память энергозависимая, данные теряются при отключении питания.

Общее назначение:

IDT71256L25Y - это высокоскоростная статическая оперативная память, предназначенная для быстрого хранения и доступа к данным в системах, где требуется минимальная задержка и простое управление. Она используется в качестве буферной памяти, кэш-памяти или основной памяти для небольших объемов данных.

Применение:

• Промышленные контроллеры и автоматизация.
• Телекоммуникационное оборудование (например, маршрутизаторы, коммутаторы).
• Медицинское оборудование.
• Встроенные системы и микроконтроллеры.
• Старое компьютерное оборудование (например, кэш-память L2 в некоторых процессорах, буферы видеокарт).
• Измерительное оборудование.
• Тестовое и диагностическое оборудование.