Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IHW30N160R5XKSA1
IHW30N160R5XKSA1

IHW30N160R5XKSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IHW30N160R5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: HOME APPLIANCES 14Все характеристики

Минимальная цена IHW30N160R5XKSA1 при покупке от 1 шт 957.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IHW30N160R5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IHW30N160R5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.15V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    263 W
  • Энергия переключения
    2mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    205 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -/290ns
  • Условие испытаний
    600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IHW30N160
Техническая документация
 IHW30N160R5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 141 шт
    в наличии
  • 96 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    957 ₽
  • 5
    842 ₽
  • 10
    750 ₽
  • 30
    584 ₽
  • 60
    573 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IHW30N160R5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: HOME APPLIANCES 14Все характеристики

Минимальная цена IHW30N160R5XKSA1 при покупке от 1 шт 957.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IHW30N160R5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IHW30N160R5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.15V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    263 W
  • Энергия переключения
    2mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    205 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -/290ns
  • Условие испытаний
    600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IHW30N160
Техническая документация
 IHW30N160R5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП