Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPP60R180P7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1
;
IPP60R180P7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP60R180P7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R180P7XKSA1 при покупке от 1 шт 667.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R180P7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R180P7XKSA1

ИПП60R180P7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650В 18А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 650 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 18 А
    • Тип полярности: N-канальный
    • Монтажный корпус: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству Infineon Technologies.
    • Низкий коэффициент сопротивления в ON-режиме (RD(on)).
    • Соответствие международным стандартам.
    • Удобство монтажа благодаря стандартному корпусу TO220-3.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки.
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокого напряжения и тока.
    • Применяется в системах питания, преобразователях напряжения, инверторах и других мощных электронных устройствах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (системы зажигания, регуляторы напряжения).
    • Электронасосы и компрессоры.
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники.
    • Промышленные системы управления и преобразования энергии.
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R180P7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1081 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    72W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R180

Техническая документация

 IPP60R180P7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    в наличии
  • 5764 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    667 ₽
  • 10
    245 ₽
  • 100
    228 ₽
  • 500
    186 ₽
  • 5000
    159 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP60R180P7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R180P7XKSA1 при покупке от 1 шт 667.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R180P7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R180P7XKSA1

ИПП60R180P7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650В 18А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 650 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 18 А
    • Тип полярности: N-канальный
    • Монтажный корпус: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству Infineon Technologies.
    • Низкий коэффициент сопротивления в ON-режиме (RD(on)).
    • Соответствие международным стандартам.
    • Удобство монтажа благодаря стандартному корпусу TO220-3.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки.
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокого напряжения и тока.
    • Применяется в системах питания, преобразователях напряжения, инверторах и других мощных электронных устройствах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (системы зажигания, регуляторы напряжения).
    • Электронасосы и компрессоры.
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники.
    • Промышленные системы управления и преобразования энергии.
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R180P7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1081 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    72W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R180

Техническая документация

 IPP60R180P7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP4025LSSQ-13MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
    357Кешбэк 53 балла
    DMP3004SSS-13MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
    357Кешбэк 53 балла
    DMT10H010LK3-13MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
    363Кешбэк 54 балла
    DMP4011SK3-13MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
    365Кешбэк 54 балла
    DMT31M6LPS-13MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
    367Кешбэк 55 баллов
    DMTH6005LCTMOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    DMT6005LSS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
    374Кешбэк 56 баллов
    DMT8008LFG-7MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
    376Кешбэк 56 баллов
    DMTH10H010LPS-13MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
    378Кешбэк 56 баллов
    DMT6010SCTMOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
    384Кешбэк 57 баллов
    DMNH6012SPS-13MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
    389Кешбэк 58 баллов
    DMT4002LPS-13MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
    407Кешбэк 61 балл
    DMP4011SPS-13MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
    410Кешбэк 61 балл
    DMP4006SPSWQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    410Кешбэк 61 балл
    DMT12H007LPS-13MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
    427Кешбэк 64 балла
    DMT15H017LPS-13MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
    427Кешбэк 64 балла
    DMPH4013SPSQ-13MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
    431Кешбэк 64 балла
    DMTH10H010SPSQ-13MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
    439Кешбэк 65 баллов
    DMP6018LPSQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    441Кешбэк 66 баллов
    DMT6004SPS-13MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
    446Кешбэк 66 баллов
    DMTH10H010LCTB-13MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    DMTH4004SCTBQ-13MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
    450Кешбэк 67 баллов
    DMTH41M8SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
    456Кешбэк 68 баллов
    DMP4011SPSQ-13MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
    462Кешбэк 69 баллов
    DMP6018LPS-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    486Кешбэк 72 балла
    DMT6002LPS-13MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
    490Кешбэк 73 балла
    DMT4005SCTMOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    500Кешбэк 75 баллов
    DMP32M6SPS-13MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
    507Кешбэк 76 баллов
    DMTH84M1SPSQ-13MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    551Кешбэк 82 балла
    DMNH4005SCTQMOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
    577Кешбэк 86 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП