IR2102STRPBF

IR2102STRPBF Infineon Technologies Микросхема: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

• Основные параметры:
• Входное напряжение: до 45 В
• Рабочий ток: до 3 А
• Коэффициент усиления: 1000
• Максимальная частота работы: 100 кГц
• Напряжение выходного сигнала: до 27 В
• Рабочая температура: от -40°C до +125°C
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к электрическим шумам
• Малый размер и легкий вес
• Простота интеграции в схемотехнику
• Эффективное управление полупроводниковыми транзисторами
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с аналогичными решениями от других производителей
• Требуется дополнительное заземление для работы
• Общее назначение:
• Управление полупроводниковыми транзисторами в half-bridge конфигурации
• Работа в инверторах и преобразователях напряжения
• Использование в системах управления двигателей
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления двигателем
• Инверторах для бытовой техники
• Преобразователях напряжения для компьютеров и серверных систем
• Системах управления промышленным оборудованием
• Автоматических системах управления