IR2117STRPBF

IR2117STRPBF Infineon Technologies Микросхема: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

• Основные параметры:
• Тип: высокочастотный усилитель для управления полупроводниковыми транзисторами
• Количество выводов: 8 (SOIC)
• Рабочее напряжение: от 4 до 36 В
• Максимальная частота: до 100 кГц
• Размеры: 5 мм x 5 мм
• Плюсы:
• Высокая надежность и стабильность работы
• Усиление сигнала для надежного управления полупроводниковыми транзисторами
• Уменьшение влияния шумов и помех
• Улучшенная защита от перенапряжений и перегрузок
• Минусы:
• Стоимость может быть выше по сравнению с менее сложными решениями
• Необходимо соблюдение правильных условий установки и термодизайна
• Общее назначение:
• Управление полупроводниковыми транзисторами в высоковольтных цепях
• Использование в системах управления двигателей и приводов
• Применение в инверторах и преобразователях напряжения
• Поддержка быстрого переключения транзисторов для повышения эффективности работы электронных устройств
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем и приводами
• Электроприводы промышленного оборудования
• Беспроводные устройства и системы управления
• Системы энергоэффективности и управления потреблением энергии