Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF транзистор, MOSFET 2N-CH, 55В, 4.7А, 2Вт

IRF7341TRPBF
IRF7341TRPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRF7341TRPBF
  • Описание:
    Сборка полевых транзисторов: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 740 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 4,7 АВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 57 ₽/шт, купить IRF7341TRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка

Характеристики

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 4.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    IRF7341

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

IRF7341TRPBF Infineon Technologies - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 55 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 4.7 А
    • Количество выводов: 8-SOIC
    • Тип: MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое сопротивление в режиме насыщения
    • Малый размер и высокая плотность компонентов
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Уязвимость к электрическим помехам
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления токами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления мощностью
    • Использование в бытовой технике и электротехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Системы управления двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника
    • Мобильные устройства

Альтернативные маркировки

  • IRF7341PBFTR-ND