IRF7807ZPBF

IRF7807ZPBF

Минимальная цена IRF7807ZPBF при покупке от 1 шт 125 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF7807ZPBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF7807ZPBF

  • Серия
    HEXFET®
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.8mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.25V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    770 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Техническая документация
 2012271.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно 1 шт