IRFHE4250DTRPBF транзистор, HEXFET POWER MOSFET, 2 N-канал, 25В, 86А, 156Вт

IRFHE4250DTRPBF International Rectifier Транзистор: HEXFET POWER MOSFET

• Основные параметры:
  • Максимальный ток пропускания: 42 А
  • Максимальное напряжение приключенного состояния: 100 В
  • Тепловой сопротивление: 3.5°C/W
  • Индуктивность приключенного состояния: 6 nH
• Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкие потери энергии при работе
  • Устойчивость к электрическим шумам
  • Долгий срок службы благодаря низкому тепловому сопротивлению
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует точного управления для предотвращения повреждений
• Общее назначение:
  • Передача и управление мощностью
  • Защита электронных систем от перегрузок
  • Регулирование напряжения и тока
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы питания и управления
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателей
  • Электронные устройства с высокой потребляемой мощностью