Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Loading...
;
Loading...

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRFU9024NPBF при покупке от 1 шт 122 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU9024NPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFU9024NPBF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    175mOhm @ 6.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    38W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    IPAK (TO-251AA)
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Техническая документация
8070247.pdf
pdf. 0 kb
  • 18 шт
    в наличии
  • 1151 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    122 ₽
  • 75
    93 ₽
  • 525
    80 ₽
  • 5025
    64 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена IRFU9024NPBF при покупке от 1 шт 122 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU9024NPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFU9024NPBF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    175mOhm @ 6.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    38W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    IPAK (TO-251AA)
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Техническая документация
8070247.pdf
pdf. 0 kb