Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRLR6225PBF

IRLR6225PBF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRLR6225PBF при покупке от шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLR6225PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRLR6225PBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 21A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.1V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3770 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    63W (Tc)
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена IRLR6225PBF при покупке от шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLR6225PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRLR6225PBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 21A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.1V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3770 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    63W (Tc)
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63