IS43QR16256B-083RBLI микросхема памяти, DRAM, DDR4, 4Гбит, 1.2ГГц

Микросхема IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Интегральная Силиконовая Система:

• Тип: DRAM (Память с последовательным доступом)
• Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
• Количество битов на строке: 96 бит
• Форм-фактор: 96 BGA (Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: до 133 МГц
• Интерфейс: параллельный
• Напряжение питания: 3.3 В
• Рабочие режимы: строчный, двойной строчный

Преимущества:

• Высокая плотность памяти: компактный размер для больших объемов данных
• Скорость: высокая скорость доступа к данным
• Устойчивость: надежная работа при различных температурных условиях
• Энергоэффективность: низкое энергопотребление

Недостатки:

• Уязвимость к помехам: чувствительность к внешним электромагнитным полям
• Цена: относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти

Общее назначение:

• Вычислительное оборудование
• Системы управления
• Мультимедийные устройства
• Коммуникационные системы

Применение:

• Ноутбуки и персональные компьютеры
• Сетевые устройства
• Мобильные телефоны и планшеты
• Автомобильные системы