IS43QR16512A-083TBLI микросхема памяти, DDR4 SDRAM, 8Гбит, 1.2ГГц, 1.14В ~ 1.26В

ИС43QR16512A-083TBLI интегральная силиконовая решение / ISSI микросхема:

• IC DRAM 8ГБит параллельный 96T WBGA

Основные параметры:

• Тип памяти: DRAM (пьезоэлектрическая память)
• Объем памяти: 8ГБит (1ГБ)
• Форм-фактор: 96T WBGA (нога на 96 точек, без борта)
• Шина данных: Параллельная

Плюсы:

• Высокая скорость работы благодаря параллельной шине данных
• Малый размер за счет компактного форм-фактора WBGA
• Устойчивость к повреждениям при работе с высокой частотой

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти
• Не подходит для низкочастотных приложений
• Требует специализированного оборудования для установки из-за малого размера

Общее назначение:

• Используется в серверах и вычислительном оборудовании для хранения временных данных
• Подходит для систем с высокими требованиями к производительности
• Используется в высокопроизводительных рабочих станциях и графических процессорах

В каких устройствах применяется:

• Серверы
• Вычислительное оборудование
• Высокопроизводительные рабочие станции
• Графические процессоры