IS43TR16128D-125KBL микросхема памяти, SDRAM - DDR3, 2Гбит, 800МГц, 1.425В ~ 1.575В

Микросхема IS43TR16128D-125KBL от ISSI (Integrated Silicon Solution Inc)

• Тип: DRAM (память с разрядным выходом)
• Объем памяти: 2 Гбит (256 МБ)
• Количество битов на шине данных: 96 бит
• Пакетная шина: Параллельная шина
• Форм-фактор пакета: 96T WFBGA (0.5 мм)

Основные параметры:

• Рабочее напряжение: 2.5 В
• Частота работы: до 133 МГц
• Тип шины: Paralell

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Надежность благодаря качественной технологии производства
• Удобство использования в различных устройствах
• Экономичное потребление энергии

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами DRAM
• Необходимость наличия сложного контроллера для управления
• Ограниченный объем памяти по сравнению с современными стандартами

Общее назначение:

• Используется в различных устройствах, требующих высокой скорости обработки данных и большого объема оперативной памяти
• Подходит для применения в серверах, сетевых устройствах, системах хранения данных и других системах, где требуется высокая производительность

Применение:

• Серверы
• Сетевые устройства
• Системы хранения данных
• Профессиональные компьютеры