IS43TR16512B-125KBLI модуль памяти, DRAM, DDR3, 8Гбит, 800МГц, 1.425В ~ 1.575В

Микросхема IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc:

• Тип: DRAM (память с динамическим адресированием)
• Объем: 8Гбит (1 ГБ)
• Интерфейс: ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ
• Количество битов на шине: 96
• Форм-фактор: TWBGA (Tall Wide Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Работает с частотами до 125 МГц
• Поддерживает параллельный интерфейс для передачи данных
• Высокая плотность памяти в компактном корпусе

Плюсы:

• Высокая плотность и компактность
• Эффективное использование пространства на плате
• Поддержка высоких скоростей передачи данных

Минусы:

• Требует специализированного оборудования для установки из-за TWBGA корпуса
• Высокие требования к проектированию платы из-за параллельного интерфейса

Общее назначение:

• Используется в системах с высокими требованиями к производительности
• Подходит для серверных систем, рабочих станций и других высокопроизводительных устройств

В каких устройствах применяется:

• Серверные системы
• Рабочие станции
• Профессиональное оборудование
• Системы хранения данных