Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Интегральные микросхемы
Модули памяти
IS61WV102416FBLL-10T2LI
  • В избранное
  • В сравнение
IS61WV102416FBLL-10T2LI

IS61WV102416FBLL-10T2LI

IS61WV102416FBLL-10T2LI
;
IS61WV102416FBLL-10T2LI

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ISSI
  • Артикул:
    IS61WV102416FBLL-10T2LI
  • Описание:
    Микросхема: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP IIВсе характеристики

Минимальная цена IS61WV102416FBLL-10T2LI при покупке от 1 шт 2894.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IS61WV102416FBLL-10T2LI с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IS61WV102416FBLL-10T2LI

IS61WV102416FBLL-10T2LI ISSI Микросхема:

  • IC SRAM 16МБИТ PAR 54TSOP II

Основные параметры:

  • Память SRAM (Синхронная случайная память)
  • Объем: 16 Мбит (2 Мбайт)
  • Архитектура: Параллельная
  • Пакет: 54-пиновый TSOP II (Thin Small Outline Package)
  • Рабочее напряжение: 3.3 В
  • Частота работы: до 100 МГц

Плюсы:

  • Высокая скорость доступа к данным
  • Надежность и стабильность работы
  • Устойчивость к ошибкам
  • Простота использования и интеграции в системы

Минусы:

  • Высокое энергопотребление по сравнению с ОЗУ DRAM
  • Высокая стоимость по сравнению с DRAM

Общее назначение:

  • Кэш-память в процессорах
  • Память для временного хранения данных в системах управления
  • Хранение конфигурационной информации в сетевых устройствах

В каких устройствах применяется:

  • Процессоры
  • Мобильные устройства (мобильные телефоны, планшеты)
  • Сетевые устройства (роутеры, брандмауэры)
  • Коммутаторы и свичи
  • Контроллеры и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики IS61WV102416FBLL-10T2LI

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    SRAM
  • Технология
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Объем памяти
    16Mb (1M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    10ns
  • Время доступа
    10 ns
  • Напряжение питания
    2.4V ~ 3.6V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Исполнение корпуса
    54-TSOP II
  • Base Product Number
    IS61WV102416

Техническая документация

 IS61WV102416FBLL-10T2LI.pdf
pdf. 0 kb
  • 122 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 894 ₽
  • 10
    2 684 ₽
  • 25
    2 601 ₽
  • 50
    2 536 ₽
  • 108
    2 474 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ISSI
  • Артикул:
    IS61WV102416FBLL-10T2LI
  • Описание:
    Микросхема: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP IIВсе характеристики

Минимальная цена IS61WV102416FBLL-10T2LI при покупке от 1 шт 2894.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IS61WV102416FBLL-10T2LI с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IS61WV102416FBLL-10T2LI

IS61WV102416FBLL-10T2LI ISSI Микросхема:

  • IC SRAM 16МБИТ PAR 54TSOP II

Основные параметры:

  • Память SRAM (Синхронная случайная память)
  • Объем: 16 Мбит (2 Мбайт)
  • Архитектура: Параллельная
  • Пакет: 54-пиновый TSOP II (Thin Small Outline Package)
  • Рабочее напряжение: 3.3 В
  • Частота работы: до 100 МГц

Плюсы:

  • Высокая скорость доступа к данным
  • Надежность и стабильность работы
  • Устойчивость к ошибкам
  • Простота использования и интеграции в системы

Минусы:

  • Высокое энергопотребление по сравнению с ОЗУ DRAM
  • Высокая стоимость по сравнению с DRAM

Общее назначение:

  • Кэш-память в процессорах
  • Память для временного хранения данных в системах управления
  • Хранение конфигурационной информации в сетевых устройствах

В каких устройствах применяется:

  • Процессоры
  • Мобильные устройства (мобильные телефоны, планшеты)
  • Сетевые устройства (роутеры, брандмауэры)
  • Коммутаторы и свичи
  • Контроллеры и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики IS61WV102416FBLL-10T2LI

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    SRAM
  • Технология
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Объем памяти
    16Mb (1M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    10ns
  • Время доступа
    10 ns
  • Напряжение питания
    2.4V ~ 3.6V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Исполнение корпуса
    54-TSOP II
  • Base Product Number
    IS61WV102416

Техническая документация

 IS61WV102416FBLL-10T2LI.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП