IS61WV102416FBLL-10T2LI микросхема памяти, SRAM, 16Мбит, Parallel, 10нс, 2.4В ~ 3.6В

IS61WV102416FBLL-10T2LI ISSI Микросхема:

• IC SRAM 16МБИТ PAR 54TSOP II

Основные параметры:

• Память SRAM (Синхронная случайная память)
• Объем: 16 Мбит (2 Мбайт)
• Архитектура: Параллельная
• Пакет: 54-пиновый TSOP II (Thin Small Outline Package)
• Рабочее напряжение: 3.3 В
• Частота работы: до 100 МГц

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Надежность и стабильность работы
• Устойчивость к ошибкам
• Простота использования и интеграции в системы

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с ОЗУ DRAM
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах
• Память для временного хранения данных в системах управления
• Хранение конфигурационной информации в сетевых устройствах

В каких устройствах применяется:

• Процессоры
• Мобильные устройства (мобильные телефоны, планшеты)
• Сетевые устройства (роутеры, брандмауэры)
• Коммутаторы и свичи
• Контроллеры и микроконтроллеры