IS64WV25616EDBLL-10CTLA3

Микросхема IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI:

• Тип: SRAM (память с нераспространяющимся запоминанием)
• Объем: 4 Мбит (мегабит)
• Интерфейс: параллельный
• Форм-фактор: 44-ピン TSSOP II (таблетчатый стекловолоконный пластиковый корпус)

Основные параметры:

• Работает с напряжением питания от 2,5 В до 3,6 В
• Поддерживает скорость работы до 83 МГц
• Имеет режим энергосбережения
• Поддерживает функцию автономной работы

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Устойчивость к ошибкам
• Надежность при работе с высокими частотами
• Малый размер и легкость интеграции в системы

Минусы:

• Высокое потребление энергии по сравнению с ОЗУ на основе Flash
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных
• Большой объем занимаемой площади на печатной плате из-за большого количества контактов

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах
• Системная память в цифровых устройствах
• Вспомогательная память для временного хранения данных

Применяется в:

• Цифровых системах управления
• Процессорах и микроконтроллерах
• Видеокартах и графических процессорах
• Системах хранения данных