Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки IGBT-транзисторов
IXA30PG1200DHG-TRR
  • В избранное
  • В сравнение
IXA30PG1200DHG-TRR

IXA30PG1200DHG-TRR

IXA30PG1200DHG-TRR
  • Артикул:
    IXA30PG1200DHG-TRR
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPDВсе характеристики

Минимальная цена IXA30PG1200DHG-TRR при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXA30PG1200DHG-TRR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXA30PG1200DHG-TRR

  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    43 A
  • Рассеивание мощности
    150 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    2.1 mA
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    9-SMD Module
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS-SMPD™.B
  • Base Product Number
    IXA30

Техническая документация

 IXA30PG1200DHG-TRR.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    IXA30PG1200DHG-TRR
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPDВсе характеристики

Минимальная цена IXA30PG1200DHG-TRR при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXA30PG1200DHG-TRR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXA30PG1200DHG-TRR

  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    43 A
  • Рассеивание мощности
    150 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    2.1 mA
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    9-SMD Module
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS-SMPD™.B
  • Base Product Number
    IXA30

Техническая документация

 IXA30PG1200DHG-TRR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП