Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
IXA70I1200NA
  • В избранное
  • В сравнение
IXA70I1200NA

IXA70I1200NA

IXA70I1200NA
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXA70I1200NA
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXA70I1200NA при покупке от 1 шт 7677.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXA70I1200NA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXA70I1200NA

IXA70I1200NA IXYS Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
    • Номинальный ток: 100А
    • Рабочая мощность: 350В·А
    • Форм-фактор: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к шумам и импульсным переносам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на полную мощность
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Контроль мощности в энергосистемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Маршрутизаторах и сетевых устройствах
    • Системах управления промышленными электродвигателями
    • Стационарных и мобильных генераторах
Выбрано: Показать

Характеристики IXA70I1200NA

  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 A
  • Рассеивание мощности
    350 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis, Stud Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXA70I1200

Техническая документация

 IXA70I1200NA.pdf
pdf. 0 kb
  • 217 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 677 ₽
  • 10
    6 668 ₽
  • 100
    5 834 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXA70I1200NA
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXA70I1200NA при покупке от 1 шт 7677.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXA70I1200NA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXA70I1200NA

IXA70I1200NA IXYS Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
    • Номинальный ток: 100А
    • Рабочая мощность: 350В·А
    • Форм-фактор: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к шумам и импульсным переносам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на полную мощность
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Контроль мощности в энергосистемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Маршрутизаторах и сетевых устройствах
    • Системах управления промышленными электродвигателями
    • Стационарных и мобильных генераторах
Выбрано: Показать

Характеристики IXA70I1200NA

  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 A
  • Рассеивание мощности
    350 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis, Stud Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXA70I1200

Техническая документация

 IXA70I1200NA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APTGT200A120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    32 720Кешбэк 4 908 баллов
    APT75GT120JU2Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    5 036Кешбэк 755 баллов
    APTGT600A60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    46 443Кешбэк 6 966 баллов
    APTGT75DA60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    7 274Кешбэк 1 091 балл
    APT75GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
    8 128Кешбэк 1 219 баллов
    APT100GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
    6 523Кешбэк 978 баллов
    APT40GL120JU2Транзистор: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
    3 928Кешбэк 589 баллов
    APT200GN60JТранзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    6 896Кешбэк 1 034 балла
    APTGT50A120T1GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
    10 390Кешбэк 1 558 баллов
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    52 712Кешбэк 7 906 баллов
    APT35GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    7 016Кешбэк 1 052 балла
    APT35GP120JDQ2Транзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    8 039Кешбэк 1 205 баллов
    APTGT600SK60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    31 301Кешбэк 4 695 баллов
    APT85GR120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    5 912Кешбэк 886 баллов
    APTGT50H60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    10 364Кешбэк 1 554 балла
    APT150GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    7 242Кешбэк 1 086 баллов
    APTGT50X60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    13 128Кешбэк 1 969 баллов
    APT150GN120JDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    12 628Кешбэк 1 894 балла
    APT45GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
    7 442Кешбэк 1 116 баллов
    APT100GT120JRDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    11 453Кешбэк 1 717 баллов
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    8 809Кешбэк 1 321 балл
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    32 720Кешбэк 4 908 баллов
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    7 674Кешбэк 1 151 балл
    APT85GR120JD60Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    6 844Кешбэк 1 026 баллов
    APTGT50TL601GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
    10 671Кешбэк 1 600 баллов
    FMG2G50US60Транзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    6 023Кешбэк 903 балла
    FMG1G75US60HТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    6 831Кешбэк 1 024 балла
    FMG1G100US60HТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 661Кешбэк 1 299 баллов
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    8 209Кешбэк 1 231 балл
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    7 750Кешбэк 1 162 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП