Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
IXGN100N170
IXGN100N170

IXGN100N170

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGN100N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXGN100N170 при покупке от 1 шт 13695.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGN100N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGN100N170

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    160 A
  • Рассеивание мощности
    735 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    9.22 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXGN100
Техническая документация
 IXGN100N170.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 228 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 695 ₽
  • 10
    10 574 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGN100N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXGN100N170 при покупке от 1 шт 13695.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGN100N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGN100N170

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    160 A
  • Рассеивание мощности
    735 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    9.22 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXGN100
Техническая документация
 IXGN100N170.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT60GF120JRDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
    FMG2G400US60Транзистор: IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    IXYN120N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    STGE200NB60SТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    APT35GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    APTGT600SK60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    CM150DY-12NFТранзистор: IGBT MOD 600V 150A 590W
    IXGN400N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
    IXYN82N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    IXXN100N60B3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
    IXBN75N170AТранзистор: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
    FP7G75US60Транзистор: IGBT
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    APTGT200A120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    IXGN72N60C3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
    IXBN75N170Транзистор: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
    IXXN110N65B4H1Транзистор: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
    APTGT50DDA120T3GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
    APTGT50A120T1GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
    IXXN110N65C4H1Транзистор: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
    IXYN100N120B3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 165A 690W SOT227B
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    APTGT600A60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    MIXA300PF1200TSFТранзистор: IGBT MOD 1200V 465A 1500W
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    IXGN320N60A3Транзистор: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП