Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXGN400N60A3

IXGN400N60A3

IXGN400N60A3

Минимальная цена IXGN400N60A3 при покупке от 1 шт 13806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGN400N60A3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXGN400N60A3

IXGN400N60A3 – это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства IXYS, предназначенный для использования в силовых преобразователях.

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600 В
    • Максимальный ток коллектора (Ic): 400 А
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 Вт
    • Корпус: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) – обеспечивает низкие потери на проводимость.
    • Высокая надежность и устойчивость к коротким замыканиям
    • Простота управления (управление затвором, как у MOSFET)
  • Минусы:
    • Более высокая цена по сравнению с MOSFET
    • Необходимость применения драйвера затвора для обеспечения быстрого переключения
  • Общее назначение:
    • Импульсные источники питания
    • Инверторы
    • Сварочные аппараты
    • Электродвигатели (управление скоростью и мощностью)
    • Системы бесперебойного питания (UPS)
    • Регулируемые приводы
  • Применяется в устройствах:
    • Промышленные инверторы
    • Высоковольтные источники питания
    • Силовая электроника для электромобилей

Выбрано: Показать

Характеристики IXGN400N60A3

Техническая документация

IXGN400N60A3.pdf
pdf. 0 kb
  • 261 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 806 ₽
  • 10
    10 497 ₽
  • 100
    9 365 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXGN400N60A3 при покупке от 1 шт 13806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGN400N60A3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXGN400N60A3

IXGN400N60A3 – это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства IXYS, предназначенный для использования в силовых преобразователях.

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600 В
    • Максимальный ток коллектора (Ic): 400 А
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 Вт
    • Корпус: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) – обеспечивает низкие потери на проводимость.
    • Высокая надежность и устойчивость к коротким замыканиям
    • Простота управления (управление затвором, как у MOSFET)
  • Минусы:
    • Более высокая цена по сравнению с MOSFET
    • Необходимость применения драйвера затвора для обеспечения быстрого переключения
  • Общее назначение:
    • Импульсные источники питания
    • Инверторы
    • Сварочные аппараты
    • Электродвигатели (управление скоростью и мощностью)
    • Системы бесперебойного питания (UPS)
    • Регулируемые приводы
  • Применяется в устройствах:
    • Промышленные инверторы
    • Высоковольтные источники питания
    • Силовая электроника для электромобилей

Выбрано: Показать

Характеристики IXGN400N60A3

Техническая документация

IXGN400N60A3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории