IXGN400N60A3 транзистор IGBT, PT, 600В, 400А, 830Вт

IXGN400N60A3 – это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства IXYS, предназначенный для использования в силовых преобразователях.

• Основные параметры:
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600 В
• Максимальный ток коллектора (Ic): 400 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 Вт
• Корпус: SOT227B
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) – обеспечивает низкие потери на проводимость.
• Высокая надежность и устойчивость к коротким замыканиям
• Простота управления (управление затвором, как у MOSFET)
• Минусы:
• Более высокая цена по сравнению с MOSFET
• Необходимость применения драйвера затвора для обеспечения быстрого переключения
• Общее назначение:
• Импульсные источники питания
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Электродвигатели (управление скоростью и мощностью)
• Системы бесперебойного питания (UPS)
• Регулируемые приводы
• Применяется в устройствах:
• Промышленные инверторы
• Высоковольтные источники питания
• Силовая электроника для электромобилей