Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1
;
IXXN110N65B4H1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXXN110N65B4H1 при покупке от 1 шт 5699.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXXN110N65B4H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4 IXYS Транзистор: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

  • Основные параметры:
    • Уровень напряжения блокировки (VCEO): 650В
    • Максимальная токовая способность (ICKM): 215А
    • Мощность при рабочем температурном режиме (PON): 750В·А
    • Форм-фактор: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность.
    • Эффективное управление мощностью.
    • Низкий уровень шума и искажений.
    • Компактный размер.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы.
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных системах управления.
    • Применение в электропитании и преобразовании.
    • Работа в системах управления двигателями.
    • Использование в энергосберегающих устройствах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Промышленные преобразователи и усилители.
    • Энергосберегающие системы освещения.
    • Системы управления частотой.
Выбрано: Показать

Характеристики IXXN110N65B4H1

Техническая документация

IXXN110N65B4H1.pdf
pdf. 0 kb
  • 190 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 699 ₽
  • 10
    4 179 ₽
  • 100
    3 588 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXXN110N65B4H1 при покупке от 1 шт 5699.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXXN110N65B4H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4 IXYS Транзистор: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

  • Основные параметры:
    • Уровень напряжения блокировки (VCEO): 650В
    • Максимальная токовая способность (ICKM): 215А
    • Мощность при рабочем температурном режиме (PON): 750В·А
    • Форм-фактор: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность.
    • Эффективное управление мощностью.
    • Низкий уровень шума и искажений.
    • Компактный размер.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы.
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных системах управления.
    • Применение в электропитании и преобразовании.
    • Работа в системах управления двигателями.
    • Использование в энергосберегающих устройствах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Промышленные преобразователи и усилители.
    • Энергосберегающие системы освещения.
    • Системы управления частотой.
Выбрано: Показать

Характеристики IXXN110N65B4H1

Техническая документация

IXXN110N65B4H1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории