IXXN110N65B4H1 транзистор IGBT, PT, 650В, 215А, 750Вт

IXXN110N65B4 IXYS Транзистор: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

• Основные параметры:
• Уровень напряжения блокировки (V_CEO): 650В
• Максимальная токовая способность (I_CKM): 215А
• Мощность при рабочем температурном режиме (P_ON): 750В·А
• Форм-фактор: SOT227B
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность.
• Эффективное управление мощностью.
• Низкий уровень шума и искажений.
• Компактный размер.
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
• Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы.
• Общее назначение:
• Использование в промышленных системах управления.
• Применение в электропитании и преобразовании.
• Работа в системах управления двигателями.
• Использование в энергосберегающих устройствах.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем.
• Промышленные преобразователи и усилители.
• Энергосберегающие системы освещения.
• Системы управления частотой.