IXYN100N120C3H1

Основные параметры: Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) – 1200В, ток коллектора (Ic) – 134А, мощность рассеяния (Pd) – 690Вт, корпус – SOT227B.

Плюсы: Высокое напряжение и ток, высокая скорость переключения, низкое сопротивление открытого канала, высокая надежность, простота монтажа благодаря корпусу SOT227B.

Минусы: Относительно высокая цена, чувствительность к перегрузкам по току и напряжению, необходимость использования радиатора для отвода тепла при больших токах.

Общее назначение: IGBT транзистор, предназначенный для использования в качестве силового ключа в инверторах, преобразователях частоты, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах и другом оборудовании, требующем коммутации больших токов и напряжений.

Применяется в: Инверторах для солнечной энергетики, промышленных приводах, электромобилях, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания (ИБП), индукционных нагревателях.