Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXYN100N65C3H1

IXYN100N65C3H1

IXYN100N65C3H1
;
IXYN100N65C3H1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXYN100N65C3H1 при покупке от 1 шт 5601.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYN100N65C3H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXYN100N65C3H1

IXYN100N65C3H1 — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства компании IXYS. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 650 В
  • Номинальная токовая способность (ICKM): 166 А
  • Номинальная мощность (PON): 600 ВА
  • Пакет: SOT227B

Плюсы:

  • Высокая эффективность: благодаря низкому коэффициенту потерь при работе.
  • Простота управления: управление происходит через гейт, что упрощает дизайн электронных схем.
  • Высокая надежность: стабильная работа даже при высоких температурах.

Минусы:

  • Высокие цены: по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Сложность проектирования: требуется точное учета всех параметров для достижения оптимальной работы.

Общее назначение: IGBT используется для управления мощностью в различных приложениях, таких как:

  • Приводы двигателей
  • Инверторы питания
  • Энергосберегающие системы
  • Автомобильные системы
  • Радиоэлектроника
Выбрано: Показать

Характеристики IXYN100N65C3H1

Техническая документация

IXYN100N65C3H1.pdf
pdf. 0 kb
  • 889 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 601 ₽
  • 10
    4 148 ₽
  • 100
    3 616 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXYN100N65C3H1 при покупке от 1 шт 5601.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYN100N65C3H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXYN100N65C3H1

IXYN100N65C3H1 — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства компании IXYS. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 650 В
  • Номинальная токовая способность (ICKM): 166 А
  • Номинальная мощность (PON): 600 ВА
  • Пакет: SOT227B

Плюсы:

  • Высокая эффективность: благодаря низкому коэффициенту потерь при работе.
  • Простота управления: управление происходит через гейт, что упрощает дизайн электронных схем.
  • Высокая надежность: стабильная работа даже при высоких температурах.

Минусы:

  • Высокие цены: по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Сложность проектирования: требуется точное учета всех параметров для достижения оптимальной работы.

Общее назначение: IGBT используется для управления мощностью в различных приложениях, таких как:

  • Приводы двигателей
  • Инверторы питания
  • Энергосберегающие системы
  • Автомобильные системы
  • Радиоэлектроника
Выбрано: Показать

Характеристики IXYN100N65C3H1

Техническая документация

IXYN100N65C3H1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории