Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
J111-D26Z
J111-D26Z

J111-D26Z

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    J111-D26Z
  • Описание:
    JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J111-D26Z при покупке от 1 шт 55.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J111-D26Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики J111-D26Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J111
Техническая документация
 J111-D26Z.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 41628 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    55 ₽
  • 100
    30.5 ₽
  • 2000
    26.6 ₽
  • 6000
    23 ₽
  • 14000
    20.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    J111-D26Z
  • Описание:
    JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J111-D26Z при покупке от 1 шт 55.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J111-D26Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики J111-D26Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J111
Техническая документация
 J111-D26Z.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП