Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
J111-D26Z
  • В избранное
  • В сравнение
J111-D26Z

J111-D26Z

J111-D26Z
;
J111-D26Z

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J111-D26Z
  • Описание:
    JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J111-D26Z при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J111-D26Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J111-D26Z

Размеры и описание:

  • Маркировка: J111-D26Z
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Напряжение: 35В
  • Мощность: 625 мВт
  • Оболочка: TO92

Основные параметры:

  • Тип канала: N-канальный
  • Тип оболочки: TO92
  • Номинальное напряжение на разрежение: 35В
  • Максимальная мощность: 625 мВт

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря стабильной работе в различных условиях.
  • Устойчивость к шумам, что делает его подходящим для применения в непростых электронных схемах.
  • Небольшие размеры и простота интеграции в различные устройства.

Минусы:

  • Низкая скорость переключения, что ограничивает его использование в высокочастотных приложениях.
  • Высокое внутреннее сопротивление, что может влиять на эффективность работы в некоторых схемах.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в различных электронных устройствах.
  • Амплитудное усиление сигналов.
  • Изоляция различных цепей в электронных устройствах.

Применение:

  • Микросхемы и логические блоки.
  • Электронные устройства для радиосвязи и телевещания.
  • Программируемые логические устройства (PLD).
  • Цифровые и аналоговые преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики J111-D26Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J111

Техническая документация

 J111-D26Z.pdf
pdf. 0 kb
  • 17569 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    63 ₽
  • 100
    30 ₽
  • 1000
    29.5 ₽
  • 4000
    19.6 ₽
  • 24000
    18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J111-D26Z
  • Описание:
    JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J111-D26Z при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J111-D26Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J111-D26Z

Размеры и описание:

  • Маркировка: J111-D26Z
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Напряжение: 35В
  • Мощность: 625 мВт
  • Оболочка: TO92

Основные параметры:

  • Тип канала: N-канальный
  • Тип оболочки: TO92
  • Номинальное напряжение на разрежение: 35В
  • Максимальная мощность: 625 мВт

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря стабильной работе в различных условиях.
  • Устойчивость к шумам, что делает его подходящим для применения в непростых электронных схемах.
  • Небольшие размеры и простота интеграции в различные устройства.

Минусы:

  • Низкая скорость переключения, что ограничивает его использование в высокочастотных приложениях.
  • Высокое внутреннее сопротивление, что может влиять на эффективность работы в некоторых схемах.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в различных электронных устройствах.
  • Амплитудное усиление сигналов.
  • Изоляция различных цепей в электронных устройствах.

Применение:

  • Микросхемы и логические блоки.
  • Электронные устройства для радиосвязи и телевещания.
  • Программируемые логические устройства (PLD).
  • Цифровые и аналоговые преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики J111-D26Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J111

Техническая документация

 J111-D26Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 736Кешбэк 260 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 094Кешбэк 314 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 423Кешбэк 363 балла
    NTE468JFET-N-CHANNEL SWITCH TO-92
    358Кешбэк 53 балла
    NTE467JFET-N-CH CHOPPER/FAST SW
    550Кешбэк 82 балла
    NTE312JFET-N-CH VHF AMP/MIX
    5 558Кешбэк 833 балла
    NTE466JFET-N-CH CHOPPER/SW
    1 084Кешбэк 162 балла
    NTE460JFET-P-CH AF AMP
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE457JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW
    792Кешбэк 118 баллов
    NTE459JFET-N-CH AF AMP/CHOP./SW
    2 345Кешбэк 351 балл
    NTE461JFET-MATCHED DUAL N-CH
    2 779Кешбэк 416 баллов
    2N4392 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    754Кешбэк 113 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    CMPF4392 TR PBFREEJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    276Кешбэк 41 балл
    2N4393 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    682Кешбэк 102 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП