Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
J112
J112

J112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    J112
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J112 при покупке от 1 шт 96 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики J112

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    50 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
Техническая документация
 J112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2 шт
    в наличии
  • 3828 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    96 ₽
  • 100
    31 ₽
  • 1000
    27 ₽
  • 5000
    23 ₽
  • 50000
    19.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    J112
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J112 при покупке от 1 шт 96 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики J112

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    50 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
Техническая документация
 J112.pdf
pdf. 0 kb
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП