Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
J112
  • В избранное
  • В сравнение
J112

J112

J112
;
J112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J112
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J112 при покупке от 1 шт 105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J112

J112 onsemi Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92

  • Основные параметры:
    • Тип: Тиристор JFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (UDRM): 35В
    • Номинальная мощность (PON): 625мВт
    • Пакет: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и отключения
    • Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы
    • Устойчивость к помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами тиристоров
    • Небольшой тепловой поток, что ограничивает мощность
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Переключение высоких токов при низком напряжении
    • Защита от перегрузок и коротких замыканий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для бытовых приборов
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики J112

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    50 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 J112.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    в наличии
  • 14561 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    105 ₽
  • 100
    35.4 ₽
  • 1000
    25.7 ₽
  • 5000
    22 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J112
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J112 при покупке от 1 шт 105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J112

J112 onsemi Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92

  • Основные параметры:
    • Тип: Тиристор JFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (UDRM): 35В
    • Номинальная мощность (PON): 625мВт
    • Пакет: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и отключения
    • Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы
    • Устойчивость к помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами тиристоров
    • Небольшой тепловой поток, что ограничивает мощность
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Переключение высоких токов при низком напряжении
    • Защита от перегрузок и коротких замыканий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для бытовых приборов
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики J112

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    50 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 J112.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП