Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
J112-D27Z
  • В избранное
  • В сравнение
J112-D27Z

J112-D27Z транзистор, N-канал, 35В, 5мА, 625мВт

J112-D27Z
J112-D27Z

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    J112-D27Z
  • Описание:
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена J112-D27Z при покупке от 1 шт 108 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J112-D27Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J112-D27Z

J112-D27Z от On Semiconductor / Fairchild - небольшой сигнал полевого транзистора

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VGS(th)): -4 до -8 В
    • Максимальное напряжение коллектора-;base (VDS(max)): 30 В
    • Максимальный ток дrain-source (IDS(max)): 500 мА
    • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
  • Плюсы:
    • Небольшие размеры
    • Высокая скорость переключения
    • Хорошая теплопроводность
    • Низкое напряжение включения
  • Минусы:
    • Низкий ток дrain-source
    • Меньше подходят для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Управляющие элементы в цифровых и аналоговых схемах
    • Регуляторы напряжения
    • Импульсные преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • ПК и ноутбуки
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Системы управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики J112-D27Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    50 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J112

Техническая документация

 J112-D27Z.pdf
pdf. 0 kb
  • 4000 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    108 ₽
  • 100
    42 ₽
  • 1000
    28.6 ₽
  • 4000
    23.4 ₽
  • 10000
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП