Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
JFE150DCKR
  • В избранное
  • В сравнение
JFE150DCKR

JFE150DCKR

JFE150DCKR
;
JFE150DCKR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Texas Instruments
  • Артикул:
    JFE150DCKR
  • Описание:
    ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENВсе характеристики

Минимальная цена JFE150DCKR при покупке от 1 шт 473.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JFE150DCKR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JFE150DCKR

JFE150DCKR Texas Instruments ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENT

  • Основные параметры:
    • Низкий шум (ULTRA-LOW NOISE)
    • Низкое значение тока канала (LOW GATE CURRENT)
    • Максимальное напряжение питания: 30 В
    • Минимальное напряжение питания: 2.7 В
    • Ток утечки при отключенном канале: менее 1 нА
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность сигнала из-за низкого уровня шума
    • Низкий ток утечки обеспечивает экономию энергии
    • Низкое значение тока канала позволяет использовать его в сложных схемах управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует более точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в системах с высокими требованиями к качеству сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах управления
    • Работа в условиях ограниченного потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Мобильные устройства
    • Электронные приборы с высокой точностью измерений
    • Цифровые системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики JFE150DCKR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    24 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    SC-70-5

Техническая документация

 JFE150DCKR.pdf
pdf. 0 kb
  • 4040 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    473 ₽
  • 10
    351 ₽
  • 25
    320 ₽
  • 100
    287 ₽
  • 250
    271 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Texas Instruments
  • Артикул:
    JFE150DCKR
  • Описание:
    ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENВсе характеристики

Минимальная цена JFE150DCKR при покупке от 1 шт 473.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JFE150DCKR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JFE150DCKR

JFE150DCKR Texas Instruments ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENT

  • Основные параметры:
    • Низкий шум (ULTRA-LOW NOISE)
    • Низкое значение тока канала (LOW GATE CURRENT)
    • Максимальное напряжение питания: 30 В
    • Минимальное напряжение питания: 2.7 В
    • Ток утечки при отключенном канале: менее 1 нА
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность сигнала из-за низкого уровня шума
    • Низкий ток утечки обеспечивает экономию энергии
    • Низкое значение тока канала позволяет использовать его в сложных схемах управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует более точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в системах с высокими требованиями к качеству сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах управления
    • Работа в условиях ограниченного потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Мобильные устройства
    • Электронные приборы с высокой точностью измерений
    • Цифровые системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики JFE150DCKR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    24 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    SC-70-5

Техническая документация

 JFE150DCKR.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП