Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
JFE150DCKR
  • В избранное
  • В сравнение
JFE150DCKR

JFE150DCKR

JFE150DCKR
;
JFE150DCKR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Texas Instruments
  • Артикул:
    JFE150DCKR
  • Описание:
    ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENВсе характеристики

Минимальная цена JFE150DCKR при покупке от 1 шт 469.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JFE150DCKR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JFE150DCKR

JFE150DCKR Texas Instruments ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENT

  • Основные параметры:
    • Низкий шум (ULTRA-LOW NOISE)
    • Низкое значение тока канала (LOW GATE CURRENT)
    • Максимальное напряжение питания: 30 В
    • Минимальное напряжение питания: 2.7 В
    • Ток утечки при отключенном канале: менее 1 нА
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность сигнала из-за низкого уровня шума
    • Низкий ток утечки обеспечивает экономию энергии
    • Низкое значение тока канала позволяет использовать его в сложных схемах управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует более точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в системах с высокими требованиями к качеству сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах управления
    • Работа в условиях ограниченного потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Мобильные устройства
    • Электронные приборы с высокой точностью измерений
    • Цифровые системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики JFE150DCKR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    24 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    SC-70-5

Техническая документация

 JFE150DCKR.pdf
pdf. 0 kb
  • 4040 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    469 ₽
  • 10
    348 ₽
  • 25
    318 ₽
  • 100
    285 ₽
  • 250
    269 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Texas Instruments
  • Артикул:
    JFE150DCKR
  • Описание:
    ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENВсе характеристики

Минимальная цена JFE150DCKR при покупке от 1 шт 469.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JFE150DCKR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JFE150DCKR

JFE150DCKR Texas Instruments ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURRENT

  • Основные параметры:
    • Низкий шум (ULTRA-LOW NOISE)
    • Низкое значение тока канала (LOW GATE CURRENT)
    • Максимальное напряжение питания: 30 В
    • Минимальное напряжение питания: 2.7 В
    • Ток утечки при отключенном канале: менее 1 нА
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность сигнала из-за низкого уровня шума
    • Низкий ток утечки обеспечивает экономию энергии
    • Низкое значение тока канала позволяет использовать его в сложных схемах управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует более точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в системах с высокими требованиями к качеству сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах управления
    • Работа в условиях ограниченного потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы связи
    • Мобильные устройства
    • Электронные приборы с высокой точностью измерений
    • Цифровые системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики JFE150DCKR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    24 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    SC-70-5

Техническая документация

 JFE150DCKR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 757Кешбэк 263 балла
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 772Кешбэк 265 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 780Кешбэк 267 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 860Кешбэк 279 баллов
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 871Кешбэк 280 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 896Кешбэк 284 балла
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 900Кешбэк 285 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 985Кешбэк 297 баллов
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 063Кешбэк 309 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 147Кешбэк 322 балла
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 261Кешбэк 339 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 261Кешбэк 339 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 378Кешбэк 356 баллов
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 379Кешбэк 356 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 452Кешбэк 367 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 485Кешбэк 372 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 627Кешбэк 394 балла
    NTE133FET-AF AMP SWITCH
    2 163Кешбэк 324 балла
    NTE452JFET-N-CH UHF/VHF AMP
    2 849Кешбэк 427 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    222Кешбэк 33 балла
    2N4857N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 772Кешбэк 415 баллов
    2N4858N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 772Кешбэк 415 баллов
    2N3823N CHANNEL JFET
    3 431Кешбэк 514 баллов
    2N2608JFET
    3 697Кешбэк 554 балла
    2N2609JFETS
    3 909Кешбэк 586 баллов
    J111-D26ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    44Кешбэк 6 баллов
    J113-D74ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    99Кешбэк 14 баллов
    J112-D26ZJFET N-CH 35V 625MW TO92-3
    114Кешбэк 17 баллов
    J112-D27ZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    114Кешбэк 17 баллов
    J175-D26ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
    116Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП