LM5111-2M/NOPB

LM5111-2M/NOPB Texas Instruments Микросхема: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

• Основные параметры:
  • Низкоштативный ток заряда (I_CH) - 30 мА
  • Низкоштативный ток разряда (I_CL) - 10 мА
  • Время зарядки (t_CH) - 7 нс
  • Время разрядки (t_CL) - 6 нс
  • Максимальное напряжение питания (V_CC) - 45 В
  • Максимальное напряжение на выходе (V_OUT) - 45 В
  • Напряжение на входе (V_IN) - от 2.7 до 45 В
• Плюсы:
  • Высокая скорость заряда и разряда
  • Устойчивость к шумам
  • Работа при высоком напряжении
  • Малый размер (8SOIC)
• Минусы:
  • Высокие требования к защите от перенапряжения
  • Необходимо дополнительное оборудование для защиты
• Общее назначение:
  • Драйверы для управления полевых-effect транзисторами
  • Применяются в системах управления мощностью
  • Поддерживают работу с индуктивными нагрузками
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления мощностью в бытовой электронике
  • Инверторы и преобразователи