LM9061M

LM9061M National Semiconductor Corp Микросхема: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

• Основные параметры:
  • Высокочастотный драйвер высокого барьера для управления полевыми эффектными транзисторами (FET)
  • Поддерживает рабочие напряжения от 4 до 36 В
  • Максимальная частота работы до 500 кГц
  • Ток заряда/разряда гейта до 20 мА
  • Минимальное напряжение гейта для активации (Vth) от 2 до 4 В
  • Работает при температуре от -40°C до +125°C
• Плюсы:
  • Высокая скорость перехода
  • Устойчивость к шумам
  • Низкий уровень шума
  • Малый размер корпуса (8SOIC)
• Минусы:
  • Низкий ток заряда/разряда гейта может быть недостаточным для некоторых высоковольтных FET
  • Необходимо дополнительное охлаждение при работе на максимальной мощности
• Общее назначение:
  • Драйверы для управления полевыми эффектными транзисторами в высоковольтных системах
  • Используются в преобразователях напряжения и тока
  • Подходят для управления индуктивными нагрузками
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы питания
  • Преобразователи напряжения
  • Инверторы для промышленного оборудования
  • Системы управления двигателем
  • Питание электронных устройств