LS5911 SOIC 8L-B транзистор JFET, 2 N-канал, 25В, 7мА, 500мВт

LS5911 SOIC 8L-B Linear Integrated Systems, Inc. WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

• Основные параметры:
• Широкополосность (WIDEBAND)
• Высокая усиленность (HIGH GAIN)
• Монолитная конструкция (MONOLITHIC)
• Плюсы:
• Высокая чувствительность из-за высокой усиленности
• Широкий диапазон частот работы
• Монолитная конструкция обеспечивает надежность и устойчивость
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с аналогичными компонентами
• Требует точной настройки и поддержания условий эксплуатации
• Общее назначение:
• Использование в системах приема сигналов
• Работа с широким диапазоном частот
• Усиление слабых сигналов
• В каких устройствах применяется:
• Радиорелейные системы
• Системы спутниковой связи
• Автомобильные радары
• Мобильные радиостанции
• Антенны для приема и передачи данных