LT1910ES8#TRPBF

LT1910ES8TRPBF Analog Devices Inc. Микросхема: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

• Основные параметры:
• Тип: Высокочастотный мостовой усилитель.
• Количество каналов: Одноканальный.
• Технология: 8-пиновая SOIC (Surface Mount Technology).
• Напряжение питания: 4,5 В – 36 В.
• Максимальная частота: до 1 МГц.
• Ток нагрузки: до 2 А.
• Сопротивление нагрузки: от 0,5 Ом до 100 Ом.
• Плюсы:
• Высокая скорость работы до 1 МГц.
• Устойчивость к электромагнитному излучению.
• Малый размер и легкость установки за счет Surface Mount Technology.
• Устойчивость к скачкам напряжения.
• Минусы:
• Требует дополнительного питания для источника питания нагрузки.
• Необходимо соблюдать правильное расположение компонентов для минимизации шумов.
• Общее назначение:
• Драйвер высокого барьера для управления MOSFETами и IGBT.
• Поддержка высокочастотных приложений.
• Применяется в системах управления силами и тока.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления двигателем.
• Инверторах для преобразования переменного тока в постоянный.
• Системах управления электродвигателями.
• Промышленном оборудовании.