MB85R1002ANC-GE1

Микросхема MB85R1002ANC-GE1 Fujitsu Semiconductor

• Тип: FRAM (Ферромагнитная память)
• Объем: 1 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Пакет: 48-TSOP

Основные параметры:

• Время записи: до 25 нс
• Время чтения: до 10 нс
• Рабочие напряжения: 2.7-3.6 В для цифровых входов/выходов, 3.0-3.6 В для внутреннего ядра
• Рабочая температура: -40°C до +85°C

Плюсы:

• Низкое энергопотребление
• Бесконечная устойчивость к циклическому чтению и записи
• Высокая скорость записи и чтения
• Не требует зарядки при каждом перезапуске системы

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными типами памяти
• Меньше доступных моделей и производителей

Общее назначение:

• Хранение критически важной информации, требующей постоянного доступа без необходимости постоянной зарядки
• Управление системами безопасности и ключами доступа
• Хранение конфигурационных данных и настроек устройств

В каких устройствах применяется:

• Системы управления ключами доступа
• Автомобильные системы безопасности
• Устройства для хранения конфигурационных данных сетевых устройств
• Мобильные устройства с высокими требованиями к безопасности