Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
MB8S
  • В избранное
  • В сравнение
MB8S

MB8S

MB8S
;
MB8S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MB8S
  • Описание:
    BRIDGE RECT GLASS 800V .5A MDSВсе характеристики

Минимальная цена MB8S при покупке от 1 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MB8S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MB8S

MB8S onsemi / Fairchild BRIDGE RECT GLASS 800V .5A MDS

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 0.5А
    • Тип: Бридж-ретектор (мостовая диода)
    • Материал корпуса: Стекло (GLASS)
    • Класс устойчивости к тепловому шоку: MDS (Melt-Down Specified)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность из-за стеклянного корпуса
    • Устойчивость к тепловым шокам благодаря классу MDS
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с пластиковыми аналогами
    • Большой размер по сравнению с современными семiconдукторами
  • Общее назначение: Используется для преобразования переменного напряжения в постоянное.
  • Применение:
    • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MB8S

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    500 mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 400 mA
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-269AA, 4-BESOP
  • Исполнение корпуса
    TO-269AA MINIDIL SLIM

Техническая документация

 MB8S.pdf
pdf. 0 kb
  • 41398 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    101 ₽
  • 100
    43 ₽
  • 1000
    31.3 ₽
  • 6000
    22.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MB8S
  • Описание:
    BRIDGE RECT GLASS 800V .5A MDSВсе характеристики

Минимальная цена MB8S при покупке от 1 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MB8S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MB8S

MB8S onsemi / Fairchild BRIDGE RECT GLASS 800V .5A MDS

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 0.5А
    • Тип: Бридж-ретектор (мостовая диода)
    • Материал корпуса: Стекло (GLASS)
    • Класс устойчивости к тепловому шоку: MDS (Melt-Down Specified)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность из-за стеклянного корпуса
    • Устойчивость к тепловым шокам благодаря классу MDS
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с пластиковыми аналогами
    • Большой размер по сравнению с современными семiconдукторами
  • Общее назначение: Используется для преобразования переменного напряжения в постоянное.
  • Применение:
    • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MB8S

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    500 mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 400 mA
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-269AA, 4-BESOP
  • Исполнение корпуса
    TO-269AA MINIDIL SLIM

Техническая документация

 MB8S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП