Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
MBR30200PT
  • В избранное
  • В сравнение
MBR30200PT

MBR30200PT

MBR30200PT
;
MBR30200PT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    MBR30200PT
  • Описание:
    Диод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247Все характеристики

Минимальная цена MBR30200PT при покупке от 1 шт 629.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBR30200PT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBR30200PT

MBR30200PT YANGJIE TECHNOLOGY Диод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

  • Основные параметры:
    • Мощность: 30 А
    • Напряжение: 200 В
    • Тип: массив Шоттки
    • Форм-фактор: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода (trrhm)
    • Низкий напряженный сопротивление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактная конструкция
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Необходимость использования дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений
    • Регулирование напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Электропитание серверных систем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MBR30200PT

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (TO-3P)
  • Base Product Number
    MBR30200

Техническая документация

 MBR30200PT.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    в наличии
  • 272 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    629 ₽
  • 10
    408 ₽
  • 120
    298 ₽
  • 510
    218 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    MBR30200PT
  • Описание:
    Диод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247Все характеристики

Минимальная цена MBR30200PT при покупке от 1 шт 629.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBR30200PT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBR30200PT

MBR30200PT YANGJIE TECHNOLOGY Диод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

  • Основные параметры:
    • Мощность: 30 А
    • Напряжение: 200 В
    • Тип: массив Шоттки
    • Форм-фактор: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода (trrhm)
    • Низкий напряженный сопротивление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактная конструкция
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Необходимость использования дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений
    • Регулирование напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Электропитание серверных систем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MBR30200PT

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (TO-3P)
  • Base Product Number
    MBR30200

Техническая документация

 MBR30200PT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAW56HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    66Кешбэк 9 баллов
    DAN202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    66Кешбэк 9 баллов
    BAV99HYT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    68Кешбэк 10 баллов
    BAV199HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    70Кешбэк 10 баллов
    BAV170HYFHT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    70Кешбэк 10 баллов
    DAP202FMT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    72Кешбэк 10 баллов
    DAN202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    72Кешбэк 10 баллов
    BAV99HYFHT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    72Кешбэк 10 баллов
    DAP202KFHT146ROHM'S SWITCHING DIODES, INCLUDI
    76Кешбэк 11 баллов
    RB706UM-40TLДиод: RB706UM-40 IS SCHOTTKY BARRIER D
    76Кешбэк 11 баллов
    RB715FM-40FHT10640V 30MA, CATHODE COMMON, SOT-32
    76Кешбэк 11 баллов
    DAN222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    78Кешбэк 11 баллов
    BAV199UMFHTLТранзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SERIES
    78Кешбэк 11 баллов
    RB557WMTLRB557WM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    80Кешбэк 12 баллов
    DA228KFHT146SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    80Кешбэк 12 баллов
    BAT54AHYT11630V, 200MA, SOT-23, ANODE COMMON
    80Кешбэк 12 баллов
    DAP222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    82Кешбэк 12 баллов
    RB558WMFHTLDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V EMD3F
    82Кешбэк 12 баллов
    DA221ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 20V 100MA,
    82Кешбэк 12 баллов
    DA221FHTLLOW-LEAKAGE, 20V, 100MA, ANODE/C
    82Кешбэк 12 баллов
    BAT54CHYT11630V, 200MA, SOT-23, CATHODE COMM
    82Кешбэк 12 баллов
    BAT54SHYT11630V, 200MA, SOT-23, SERIES CONNE
    82Кешбэк 12 баллов
    RB715UMFHTLДиод: RB715UMFH IS THE HIGH RELIABILIT
    84Кешбэк 12 баллов
    BAV70HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    85Кешбэк 12 баллов
    RB715FM-40T10640V 30MA, CATHODE COMMON, SOT-32
    85Кешбэк 12 баллов
    RB706WM-40FHTLSCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    89Кешбэк 13 баллов
    BAS40-06HYT11640V, 120MA, SOT-23, ANODE COMMON
    89Кешбэк 13 баллов
    RB717UMFHTLAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    91Кешбэк 13 баллов
    RB706W-40TL40V, 30MA, SOT-416, SCHOTTKY BAR
    91Кешбэк 13 баллов
    UMN10NFHTRSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    93Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП