MCP1407T-E/MF

MCP1407T-E/MF Microchip Technology Микросхема: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

• Основные параметры:
• Низкочастотный транзисторный усилитель для управления низковольтными MOSFET-модулями
• Рабочее напряжение: от 2,5 В до 60 В
• Скорость перехода: до 150 кГц
• Рабочий диапазон температур: от -40°C до +125°C
• Форм-фактор: 8DFN (0.9 x 1.0 мм)
• Плюсы:
• Высокая надежность и стабильность работы
• Малый размер и легкость интеграции в компактные электронные устройства
• Устойчивость к шумам и помехам
• Экономичное потребление энергии
• Минусы:
• Требует дополнительных компонентов для полной цепи питания
• Необходимо соблюдение правил проектирования при работе с высокими частотами
• Общее назначение:
• Контроль и управление низковольтными MOSFET-модулями в различных приложениях
• Применяется в системах управления мощностью, преобразователях энергии, инверторах и других устройствах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах
• Инверторах для бытовой техники
• Преобразователях энергии
• Системах управления мощностью
• Портативных устройствах