Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
MJ10023
  • В избранное
  • В сравнение
MJ10023

MJ10023

MJ10023
;
MJ10023

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE
  • Артикул:
    MJ10023
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 400V 40A TO3Все характеристики

Минимальная цена MJ10023 при покупке от 1 шт 3029.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJ10023 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJ10023

MJ10023 NTE Транзистор: TRANS NPN DARL 400V 40A TO3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Диодная разность напряжения (UD(on)): 400В
    • Максимальный ток: 40А
    • Объемный тип: TO3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Надежность в работе при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокий тепловой потенциал требует эффективного охлаждения
    • Размеры корпуса могут быть ограничены для некоторых применений
  • Общее назначение:
    • Управляющее устройство в электронных схемах
    • Уменьшение потребления тока в электрических цепях
    • Переключение больших токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высоким энергетическим напряжением
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MJ10023

  • Package
    Bulk
  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    5V @ 5A, 40A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    250µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10A, 5V
  • Рассеивание мощности
    250 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AA, TO-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3

Техническая документация

 MJ10023.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 029 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE
  • Артикул:
    MJ10023
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 400V 40A TO3Все характеристики

Минимальная цена MJ10023 при покупке от 1 шт 3029.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJ10023 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJ10023

MJ10023 NTE Транзистор: TRANS NPN DARL 400V 40A TO3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Диодная разность напряжения (UD(on)): 400В
    • Максимальный ток: 40А
    • Объемный тип: TO3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Надежность в работе при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокий тепловой потенциал требует эффективного охлаждения
    • Размеры корпуса могут быть ограничены для некоторых применений
  • Общее назначение:
    • Управляющее устройство в электронных схемах
    • Уменьшение потребления тока в электрических цепях
    • Переключение больших токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высоким энергетическим напряжением
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MJ10023

  • Package
    Bulk
  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    5V @ 5A, 40A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    250µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10A, 5V
  • Рассеивание мощности
    250 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AA, TO-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3

Техническая документация

 MJ10023.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC4965YV-TL-EТранзистор: RF 0.1A, NPN
    36Кешбэк 5 баллов
    2SC3735-T1B-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    42Кешбэк 6 баллов
    2SC4260TI-TR-EТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    42Кешбэк 6 баллов
    2SC4260TI-03TR-EТранзистор: FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR
    42Кешбэк 6 баллов
    2SC4260TI-TL-EТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    42Кешбэк 6 баллов
    2SC5850LCTL-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    46Кешбэк 6 баллов
    2SC1009A-T1B-ATТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    46Кешбэк 6 баллов
    2SA1610-T1-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC5435-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    51Кешбэк 7 баллов
    2SA1610-T2-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC2462LCTL-ETRANS NPN 40V 0.1A 3MPAK
    51Кешбэк 7 баллов
    UPA500T-T1-AТранзистор: DUAL BIPOLAR TRANSISTOR
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC1621-T1B-ASMALL SIGNAL TRANSISTOR
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC2462LDTR-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC1621(0)-T1B-ASMALL SIGNAL TRANSISTOR
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC2462LBTL-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    51Кешбэк 7 баллов
    2SB561CTZ-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    57Кешбэк 8 баллов
    2SB562CTZ-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    57Кешбэк 8 баллов
    2SC2001-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    63Кешбэк 9 баллов
    2SC2001-T-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    63Кешбэк 9 баллов
    2SC3618-T1-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    63Кешбэк 9 баллов
    2SC4995YD-TL-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    63Кешбэк 9 баллов
    2SA1462-T1B-AТранзистор: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
    66Кешбэк 9 баллов
    2SC3736-T2-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    66Кешбэк 9 баллов
    2SC1653-T1B-ASMALL SIGNAL TRANSISTOR
    66Кешбэк 9 баллов
    2SC3736-T1-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    66Кешбэк 9 баллов
    AR1L2Q-T-AZPNP EPITAXIAL TRANSISTOR
    66Кешбэк 9 баллов
    2SA952-T-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    72Кешбэк 10 баллов
    2SA992-T-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    72Кешбэк 10 баллов
    2SD471-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    72Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП