Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
MJ10023
MJ10023

MJ10023

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE
  • Артикул:
    MJ10023
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 400V 40A TO3Все характеристики

Минимальная цена MJ10023 при покупке от 1 шт 2912.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJ10023 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MJ10023

  • Package
    Bulk
  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    5V @ 5A, 40A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    250µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10A, 5V
  • Рассеивание мощности
    250 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AA, TO-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3
Техническая документация
 MJ10023.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 912 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE
  • Артикул:
    MJ10023
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 400V 40A TO3Все характеристики

Минимальная цена MJ10023 при покупке от 1 шт 2912.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJ10023 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MJ10023

  • Package
    Bulk
  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    5V @ 5A, 40A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    250µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10A, 5V
  • Рассеивание мощности
    250 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AA, TO-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3
Техническая документация
 MJ10023.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП