Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MJD112-1G

MJD112-1G транзистор, NPN - Darlington, 100В, 2А, 1.75Вт

MJD112-1G
MJD112-1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MJD112-1G при покупке от 1 шт 263 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD112-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 230428 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    263 ₽
  • 75
    116 ₽
  • 457
    108 ₽
  • 1050
    79 ₽
  • 5025
    66 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики MJD112-1G

Техническая документация

MJD112-1G.pdf
pdf. 0 kb

Описание MJD112-1G

MJD112-1G ONSEMI TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор NPN
    • Марка: ONSEMI
    • Номинальное напряжение коллектора-;base-emitter: 100В
    • Номинальный ток коллектора: 2А
    • Форм-фактор: IPAK (Интерпак)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Хорошая управляемость током
    • Широкий диапазон рабочих температур
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких токах
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от ударных токов
  • Общее назначение:
    • Регулирование и управляющие цепи
    • Усилители сигнала
    • Измерительные устройства
    • Автоматические системы управления
  • Применяется в:
    • Электронных устройствах
    • Автомобильной электронике
    • Промышленном оборудовании
    • Электроприборах