Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBFJ108
  • В избранное
MMBFJ108

MMBFJ108 полевой транзистор, N-канал, 25В, 80мА, 350мВт

  • В избранное
MMBFJ108
MMBFJ108

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MMBFJ108
  • Описание:
    Полевой транзистор с p-n-переходом (JFET): напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 25 В, ток утечки (Idss) 80 мА @ 15 В, поверхностный монтаж (SMD)Все характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 39 ₽/шт, купить MMBFJ108 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 25322 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    145 ₽
  • 100
    56 ₽
  • 1000
    39 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка

Характеристики

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    80 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    8 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ1

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

MMBFJ108 ON SEMICONDUCTOR Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 25В
    • Максимальная мощность: 350МВт
    • Пакет: SSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение входного сопротивления
    • Хорошая стабильность при изменении температуры
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент передачи (упадок усиления)
    • Необходимость управляющего сигнала для управления
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
  • Общее назначение:
    • Изоляция сигналов
    • Сигнальное преобразование
    • Антенны и приемники
    • Программируемые логические элементы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Компьютеры и серверы

Альтернативные маркировки

  • MMBFJ108DKR-ND
  • MMBFJ108TR-ND
  • MMBFJ108-ND
  • MMBFJ108CT
  • MMBFJ108DKR
  • MMBFJ108TR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП