MMBFJ110 полевой транзистор JFET, N-канал, 25В, 460мВт, 18Ом

MMBFJ110 ON SEMICONDUCTOR JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT

• Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор типа JFET (Junction Field-Effect Transistor)
• Номинальное напряжение: 25В
• Мощность: 0.46Вт
• Пакет: 3-SSOT (трехконтактный корпус,Surface-Soldered Overlead Technology)

Основные параметры:

• Рабочий диапазон напряжения: от 0 до 25В
• Рабочий ток: до 30мА
• Тип поля: Напряженно-полеобразующий

Плюсы:

• Высокая стабильность характеристик
• Отсутствие порогового напряжения
• Долговечность
• Малые размеры

Минусы:

• Меньшая мощность по сравнению с транзисторами с обратной связью
• Более чувствительны к излучению

Общее назначение:

• Усилители сигналов
• Фильтры
• Диоды замещения
• Коммутирующие элементы

Применение:

• В электронных приборах
• В радиоприборах
• В цифровых устройствах
• В аналого-цифровых преобразователях