Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBFJ111
  • В избранное
MMBFJ111

MMBFJ111 полевой транзистор, JFET N-канал, 35В, 20мА, 350мВт

  • В избранное
MMBFJ111
MMBFJ111

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBFJ111
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ111 при покупке от 1 шт 95 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ111 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 50316 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    95 ₽
  • 100
    37 ₽
  • 1000
    25 ₽
  • 6000
    18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ111

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ1

Техническая документация

 MMBFJ111.pdf
pdf. 0 kb

Описание MMBFJ111

MMBFJ111 onsemi Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 35В
    • Номинальная мощность: 350МВт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая скорость работы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными тиристорами
    • Необходимость соблюдения специальных условий эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока в электронных устройствах
    • Защита электронных схем от перегрузок и скачков напряжений
    • Контроль работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
    • Системы энергосбережения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП