Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBFJ175LT1G
  • В избранное
MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G полевой транзистор JFET, P-канал, 30В, 225мВт, 125Ом

  • В избранное
MMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBFJ175LT1G
  • Описание:
    Полевой транзистор с p-n-переходом (JFET): входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 11 пФ @ 10 В (VGS), напряжение туннельного пробоя (V (BR)GSS) 30 ВВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 32 ₽/шт, купить MMBFJ175LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 16038 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    1 387 ₽
  • 10
    190 ₽
  • 50
    70 ₽
  • 500
    32 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка

Характеристики

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    7 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    125 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBFJ175

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

MMBFJ175LT1G ON SEMICONDUCTOR Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип устройства: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: P-канальный
    • Рабочее напряжение: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Формат корпуса: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шумов
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Нет возможности регулирования напряжения
    • Высокие требования к условиям работы
  • Общее назначение:
    • Изоляция высокого напряжения
    • Регулировка тока
    • Переключение тока
  • Применение в устройствах:
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления питанием
    • Медицинское оборудование
    • Инверторы
    • Автомобильные системы

     

Альтернативные маркировки

  • MMBFJ175LT1GOSDKR-ND
  • MMBFJ175LT1GOSTR-ND
  • 2156-MMBFJ175LT1G-OS
  • 2832-MMBFJ175LT1GTR
  • 6196-MMBFJ175LT1G
  • MMBFJ175LT1GOS
  • MMBFJ175LT1GOS-ND
  • MMBFJ175LT1GOSCT
  • MMBFJ175LT1GOSDKR
  • MMBFJ175LT1GOSTR
  • ONSONSMMBFJ175LT1G
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП