Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
MMIX4G20N250
  • В избранное
  • В сравнение
MMIX4G20N250

MMIX4G20N250

MMIX4G20N250
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    MMIX4G20N250
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPDВсе характеристики

Минимальная цена MMIX4G20N250 при покупке от 1 шт 19659.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMIX4G20N250 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMIX4G20N250

MMIX4G20N250 IXYS IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD — это интегральный бридж IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением и током.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блока: 2500В
    • Ток блока: 23А
    • Частота работы: 24 кГц
    • Структура: H-образный бридж
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Мощная конструкция для работы при больших токах и напряжениях
    • Универсальность применения
    • Эффективное управление нагрузкой
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Сложность в проектировании систем управления

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих управления мощными электрическими нагрузками. Это может включать в себя приводы двигателей, системы регулирования мощности, преобразователи напряжения и частоты (ВВЧ), системы управления энергопотреблением и другие.

Применяется в:

  • Промышленном оборудовании
  • Автомобильных системах
  • Энергоэффективных системах
  • Приводах и системах управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики MMIX4G20N250

  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    23 A
  • Рассеивание мощности
    100 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.19 nF @ 15 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    24-SMD Module, 9 Leads
  • Исполнение корпуса
    24-SMPD
  • Base Product Number
    MMIX4G20

Техническая документация

 MMIX4G20N250.pdf
pdf. 0 kb
  • 273 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 659 ₽
  • 10
    16 442 ₽
  • 100
    16 441 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    MMIX4G20N250
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPDВсе характеристики

Минимальная цена MMIX4G20N250 при покупке от 1 шт 19659.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMIX4G20N250 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMIX4G20N250

MMIX4G20N250 IXYS IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD — это интегральный бридж IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением и током.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блока: 2500В
    • Ток блока: 23А
    • Частота работы: 24 кГц
    • Структура: H-образный бридж
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Мощная конструкция для работы при больших токах и напряжениях
    • Универсальность применения
    • Эффективное управление нагрузкой
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Сложность в проектировании систем управления

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих управления мощными электрическими нагрузками. Это может включать в себя приводы двигателей, системы регулирования мощности, преобразователи напряжения и частоты (ВВЧ), системы управления энергопотреблением и другие.

Применяется в:

  • Промышленном оборудовании
  • Автомобильных системах
  • Энергоэффективных системах
  • Приводах и системах управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики MMIX4G20N250

  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    23 A
  • Рассеивание мощности
    100 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.19 nF @ 15 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    24-SMD Module, 9 Leads
  • Исполнение корпуса
    24-SMPD
  • Base Product Number
    MMIX4G20

Техническая документация

 MMIX4G20N250.pdf
pdf. 0 kb

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП