MMUN2231LT1G транзистор, NPN - Pre-Biased, 100 мА, 50 В, 246 мВт

MMUN2231LT1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO): 50В
• Номинальная мощность (P_tot): 100мВт
• Резистивность перехода (h_FE): 60-200
• Номинальный ток коллектора (I_CM): 310mA
• Тип корпуса: SOT23-3
• Плюсы:
• Малый размер корпуса (SOT23-3), что позволяет эффективно использовать пространство на печатной плате
• Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства
• Устойчивость к перенапряжению до 50В
• Высокая скорость срабатывания
• Минусы:
• Меньшая термическая стабильность по сравнению с большими корпусами
• Необходимо соблюдать требования к теплоотводу из-за малого размера корпуса
• Общее назначение:
• Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
• Контроль высоких и низких уровней напряжения
• Переключение сигналов
• Увеличение мощности сигнала
• В каких устройствах применяется:
• Мобильные устройства (сотовые телефоны, планшеты)
• Автомобильные системы
• Домашние аудио-видео системы
• Игровые консоли
• Компьютеры и периферия