MT29F2G08ABAEAH4:E TR микросхема памяти, FLASH - NAND, 2Гбит, Parallel, 2.7В ~ 3.6В

MT29F2G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc.

• Микросхема: Flash-память
• Объем памяти: 2 Гбит (256 МБ)
• Тип интерфейса: Параллельный
• Напряжение питания: 63 В
• Форм-фактор: FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: Не указано, но для параллельного Flash-интерфейса она может быть ограничена техническими характеристиками устройства.
• Потребляемая мощность: Определена напряжением питания и потреблением конкретного устройства.

Плюсы:

• Высокая плотность данных.
• Устойчивость к повторным записям и чтению.
• Малый размер и легкость интеграции в различные устройства.

Минусы:

• Скорость записи и чтения ниже, чем у современных накопителей на основе NAND-flash.
• Необходимость использования специализированного оборудования для записи и чтения данных.

Общее назначение:

• Хранение данных в устройстве.
• Настройка параметров устройства.

В каких устройствах применяется:

• Компьютерная периферия (принтеры, сканеры).
• Телевизоры и другие аудио-видео устройства.
• Автомобильные системы ( infotainment).
• Устройства промышленного применения.