MT40A512M16TB-062E:R модуль памяти, DRAM, DDR4 SDRAM, 8Гбит, 1.6ГГц, 1.14В ~ 1.26В

Размеры и тип:

• Маркировка: MT40A512M16TB-062E:R
• Производитель: MICRON
• Описание: Микросхема модуля DRAM с параллельным интерфейсом на 8 Гбит (1 ГБ)

Основные параметры:

• Тип памяти: DRAM (Dynamic Random Access Memory)
• Объем памяти: 8 Гбит (1 ГБ)
• Форм-фактор: 96 FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)
• Интерфейс: Параллельный

Плюсы:

• Высокая плотность памяти: 1 ГБ в компактном корпусе.
• Надежность: Производится компанией Micron Technology, известной своей надежностью.
• Экономичность: Для применения в устройствах с ограниченными требованиями к объему памяти.

Минусы:

• Устаревший интерфейс: Параллельный интерфейс менее эффективен по сравнению с современными serial интерфейсами.
• Ограниченная скорость: Сравнительно низкая скорость работы по сравнению с современными DRAM модулями.

Общее назначение:

• Поддержка низкоскоростных систем: Подходит для устройств, где важна экономия пространства и энергии.
• Историческая роль: Используется в старых системах или для упрощенных приложений.

В каких устройствах применяется:

• Старые компьютеры и серверы: Для поддержки базовых систем.
• Упрощенные промышленные контроллеры: В устройствах, где требуется минимальная память.
• Системы видеонаблюдения: Для хранения базовой информации.