MT41K128M16JT-107:K микросхема, DRAM, 2Гбит, Parallel, 933МГц

MT41K128M16JT-107:K — микросхема DRAM (Dynamic Random Access Memory) производства Micron Technology Inc. Это типичный пример модуля памяти с параллельным интерфейсом.

• Объем памяти: 2ГБит или 256МБ.
• Форм-фактор: 96 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array).
• Технология: DRAM (Dynamic Random Access Memory).

Основные параметры:

• Время доступа: не указано, но для DRAM типичны значения от 7 до 10 наносекунд.
• Тип интерфейса: параллельный.
• Частота работы: не указана, но для DRAM типичны значения от 133 МГц до 1600 МГц и выше.

Плюсы:

• Высокая плотность: большая емкость в компактном корпусе.
• Надежность: надежная работа благодаря использованию проверенных технологий.
• Стоимость: относительно невысокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.

Минусы:

• Уязвимость к помехам: DRAM подвержен влиянию внешних помех.
• Требование к питанию: постоянное питание для сохранения данных.
• Высокое энергопотребление: потребляет больше энергии по сравнению с SRAM.

Общее назначение:

• Кэш-память в системах.
• Рабочая память: используется в различных устройствах, где требуется высокая скорость доступа к данным.

В каких устройствах применяется:

• Компьютеры и серверы.
• Мобильные устройства: смартфоны, планшеты.
• Игровые консоли.