Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Карты памяти, Модули
Модули памяти
MT41K256M16TW-093:P
  • В избранное
  • В сравнение
MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P
;
MT41K256M16TW-093:P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micron
  • Артикул:
    MT41K256M16TW-093:P
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAВсе характеристики

Минимальная цена MT41K256M16TW-093:P при покупке от 1 шт 1929.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT41K256M16TW-093:P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P: микросхема памяти от компании Micron Technology Inc., представляющая собой DRAM (Dynamic Random Access Memory) объемом 4 Гбит (Гигабит).

  • Основные параметры:
    • Тип памяти: DRAM (Dynamic RAM)
    • Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
    • Количество битов на ячейку: 16 бит
    • Форм-фактор: 96 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
  • Плюсы:
    • Высокая плотность памяти
    • Надежность благодаря технологии FBGA
    • Скорость работы (не указано, но типичная для DRAM)
  • Минусы:
    • Уязвимость к потерям данных без постоянного питания
    • Высокие требования к энергопитанию
  • Общее назначение:
    • Использование в системах хранения временной информации в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и серверы
    • Мобильные устройства (ноутбуки, планшеты)
    • Информационные системы и приборы
Выбрано: Показать

Характеристики MT41K256M16TW-093:P

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    DRAM
  • Технология
    SDRAM - DDR3L
  • Объем памяти
    4Gb (256M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Clock Frequency
    1.066 GHz
  • Время доступа
    20 ns
  • Напряжение питания
    1.283V ~ 1.45V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    96-TFBGA
  • Исполнение корпуса
    96-FBGA (8x14)
  • Base Product Number
    MT41K256M16

Техническая документация

 MT41K256M16TW-093:P.pdf
pdf. 0 kb
  • 14071 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 929 ₽
  • 10
    1 793 ₽
  • 25
    1 740 ₽
  • 50
    1 697 ₽
  • 100
    1 656 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Micron
  • Артикул:
    MT41K256M16TW-093:P
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAВсе характеристики

Минимальная цена MT41K256M16TW-093:P при покупке от 1 шт 1929.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT41K256M16TW-093:P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P: микросхема памяти от компании Micron Technology Inc., представляющая собой DRAM (Dynamic Random Access Memory) объемом 4 Гбит (Гигабит).

  • Основные параметры:
    • Тип памяти: DRAM (Dynamic RAM)
    • Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
    • Количество битов на ячейку: 16 бит
    • Форм-фактор: 96 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
  • Плюсы:
    • Высокая плотность памяти
    • Надежность благодаря технологии FBGA
    • Скорость работы (не указано, но типичная для DRAM)
  • Минусы:
    • Уязвимость к потерям данных без постоянного питания
    • Высокие требования к энергопитанию
  • Общее назначение:
    • Использование в системах хранения временной информации в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и серверы
    • Мобильные устройства (ноутбуки, планшеты)
    • Информационные системы и приборы
Выбрано: Показать

Характеристики MT41K256M16TW-093:P

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    DRAM
  • Технология
    SDRAM - DDR3L
  • Объем памяти
    4Gb (256M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Clock Frequency
    1.066 GHz
  • Время доступа
    20 ns
  • Напряжение питания
    1.283V ~ 1.45V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    96-TFBGA
  • Исполнение корпуса
    96-FBGA (8x14)
  • Base Product Number
    MT41K256M16

Техническая документация

 MT41K256M16TW-093:P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SP016GILFU266BH0DDR4 UDIMM 2666C19 1GX8 16GB
    20 733Кешбэк 3 109 баллов
    SP004GISFE240NH0DDR4 ECCSODIMM 2400C17 512MX8 4G
    13 610Кешбэк 2 041 балл
    SP016GIRFE266BH0DDR4 RDIMM 2666C19 1GX8 16GB
    28 194Кешбэк 4 229 баллов
    SP008GISFU266BH0DDR4 SODIMM 2666C19 1GX8 8GB
    11 468Кешбэк 1 720 баллов
    SP016GILFE266BH0DDR4 ECCUDIMM 2666C19 1GX8 16GB
    25 963Кешбэк 3 894 балла
    SP004GISFU240NH0DDR4 SODIMM 2400C17 512MX8 4GB
    10 179Кешбэк 1 526 баллов
    SP008GISLU160NH0DDR3 SODIMM 1600C11 512MX8 8GB
    19 586Кешбэк 2 937 баллов
    78.D2GF6.4010B16GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
    56 154Кешбэк 8 423 балла
    78.C2GF4.4010B8GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
    28 236Кешбэк 4 235 баллов
    78.D2GF2.4010B16GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
    44 195Кешбэк 6 629 баллов
    78.B2GCZ.4000C4GB DDR3 1600 1.35V SO-DIMM 512X
    18 215Кешбэк 2 732 балла
    78.D1GNS.4010B16GB ECC DDR4 SDRAM UDIMM
    65 292Кешбэк 9 793 балла
    78.B2GF4.4000B4GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
    22 232Кешбэк 3 334 балла
    78.B2GD8.4000C4GB DDR3 1333 SO-DIMM 256X16 2 R
    18 430Кешбэк 2 764 балла
    78.C2GCN.4030C8GB DDR3 1600 SO-DIMM 512X8 2 RA
    23 736Кешбэк 3 560 баллов
    78.A2GCK.4010C2GB DDR3 1600 ECC SO-DIMM 256X8
    21 291Кешбэк 3 193 балла
    78.B2GCY.4000C4GB DDR3 1333 1.35V SO-DIMM 512X
    18 215Кешбэк 2 732 балла
    78.A2GF7.4000B2GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
    8 917Кешбэк 1 337 баллов
    78.C2GCM.AT30C8GB DDR3 1333 SO-DIMM 512X8 2 RA
    31 286Кешбэк 4 692 балла
    78.C2GCZ.4030C8GB DDR3 1600 1.35V SO-DIMM 512X
    30 525Кешбэк 4 578 баллов
    78.C2GCY.4030C8GB DDR3 1333 1.35V SO-DIMM 512X
    30 525Кешбэк 4 578 баллов
    MT41K256M16TW-093:PМикросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    1 929Кешбэк 289 баллов
    MT41K256M16TW-107:PМикросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    2 038Кешбэк 305 баллов
    MT41K512M8DA-107 IT:PМикросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
    2 722Кешбэк 408 баллов
    MT41K512M8DA-107:PМикросхема: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
    2 514Кешбэк 377 баллов
    MTA8ATF1G64HZ-3G2R1MODULE DDR4 SDRAM 8GB 260SODIMM
    51 632Кешбэк 7 744 балла
    MTA9ASF2G72PZ-3G2F1MOD DDR4 SDRAM 16GB 288RDIMM
    191 383Кешбэк 28 707 баллов
    DD2.22260S.001DDR4 2400 16GB XR-DIMM 16GB, CON
    110 776Кешбэк 16 616 баллов
    78.D1GMM.4010B16GB DDR4 SDRAM UDIMM
    66 281Кешбэк 9 942 балла
    A4F08QD8BNPBSEMODULE DDR4 SDRAM 8GB 260SODIMM
    10 977Кешбэк 1 646 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Специализированное
    Твердотельные накопители (SSD)
    Карты памяти
    Твердотельные накопители (SSD), жесткие диски (HDD)
    Модули памяти
    Принадлежности
    USB flash-накопители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП